日本 JFE FiDiCa 晶圓膜厚分布測量裝置,是專為半導體晶圓制程設(shè)計的標準型高速膜厚分布測量設(shè)備,依托 JFE 先進的光學測量技術(shù),可實現(xiàn)晶圓表面膜厚的高精度、高效率檢測,為半導體制造過程中的膜厚管控提供可靠數(shù)據(jù)支撐。
S 系列為標準型號,覆蓋薄膜、厚膜、極厚膜全場景測量需求:薄膜型號測量范圍 50nm~20μm,厚膜型號 1μm~100μm,極厚膜型號 20μm~800μm,適配不同制程階段的膜厚檢測。設(shè)備支持 4-12 英寸晶圓及 A4 尺寸樣品檢測,薄膜型號單晶圓可采集約 400 萬個測量點,極厚膜型號也可采集 100 萬個測量點,所有型號均可在 2 分鐘以內(nèi)完成高速測量與膜厚計算,大幅提升生產(chǎn)效率。
設(shè)備空間分辨率覆蓋 50μm~300μm,重復(fù)再現(xiàn)性 3σ<1.0nm(薄膜 / 厚膜型號)或 3σ<10nm(極厚膜型號),確保測量數(shù)據(jù)的高精度與穩(wěn)定性。可用于 SiO?膜、濺射膜、抗蝕劑、液膜、油膜、涂層膜等多種薄膜類型的檢測,也適用于 PET 薄膜、玻璃等基材上的膜厚測量,廣泛應(yīng)用于半導體晶圓制造、薄膜沉積工藝等領(lǐng)域,是研發(fā)開發(fā)到缺陷檢查的全流程質(zhì)量管控核心設(shè)備。
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