產品資料
半導體制造測量用高真空工藝監測真空計
產品名稱: 半導體制造測量用高真空工藝監測真空計
產品型號: M-336MX
產品特點: 半導體制造測量用高真空工藝監測真空計半導體制造裝置測量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空5×10?¹¹ – 1×10?² Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應 · 重量 0.9 kg
半導體制造測量用高真空工藝監測真空計 的詳細介紹
半導體制造測量用高真空工藝監測真空計
半導體制造測量用高真空工藝監測真空計
半導體制造裝置測量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空
5×10?11 – 1×10?2 Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應 · 重量 0.9 kg
一、產品定位
- 半導體制造裝置測量用：MOCVD、干刻、離子注入、ALD、PVD
- 晶體離子真空計：晶振 + 離子復合，5×10?11 – 1×10?2 Pa
- 高真空/超高真空：10?11 Pa 級，適合超高真空工藝監測
- M-336MX：晶振 + 離子復合，0.1 s 響應，重量 0.9 kg
二、核心技術參數（M-336MX）
| 項目 | 參數 |
|---|---|
| 原理 | 晶體離子復合（晶振 + 離子） |
| 測量范圍 | 5×10?11 – 1×10?2 Pa（5×10?11 – 1×10?2 Torr） |
| 精度 | ±10 %（5×10?11 – 1×10?2 Pa） |
| 響應時間 | 0.1 s（晶振） / 1 s（離子） |
| 輸出信號 | 0-10 V + RS-485 + 4-20 mA（實時） |
| 真空接口 | NW16（可轉 NW25/NW40） |
| 接觸材料 | 316L + 藍寶石（晶振） |
| 溫度范圍 | -10 – 80 ℃（無凝露） |
| 電源 | DC 24 V 1 A（含 100-240 V 適配器） |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm，0.9 kg |
| 壽命 | 10 年（連續運行） |
三、功能亮點
- 5×10?11 Pa 超高真空：晶振 + 離子復合，10?11 Pa 級監測
- 0.1 s 高速響應：晶振 0.1 s，適合快速真空變化
- 0.9 kg 超輕：可直接貼腔體，不增加機械負載
- ±10 % 高精度：±10 %（5×10?11 – 1×10?2 Pa），工藝重復性高
- 0-10 V + RS-485：實時真空度，可接 PLC / DCS
- 10 年壽命：晶振 + 離子復合，10 年免維護
四、典型應用系統
半導體超高真空工藝┌─ 超高真空腔體 ─┐│ │真空← M-336MX ← 真空饋通 NW16│ │└─ PLC/DCS ──────┘- 真空度 5×10?11 Pa，0.1 s 響應，工藝實時監測
- RS-485 實時輸出，PLC 閉環控制
五、實測數據（半導體驗證）
- 真空腔：1×10?11 Pa，25 ℃
- M-336MX：
- 真空度 5×10?11 Pa（0.1 s）
- 精度 ±10 %（5×10?11 Pa）
- 壽命 10 年（連續運行）
半導體制造裝置測量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空
5×10?11 – 1×10?2 Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應 · 重量 0.9 kg
一、產品定位
- 半導體制造裝置測量用：MOCVD、干刻、離子注入、ALD、PVD
- 晶體離子真空計：晶振 + 離子復合，5×10?11 – 1×10?2 Pa
- 高真空/超高真空：10?11 Pa 級，適合超高真空工藝監測
- M-336MX：晶振 + 離子復合，0.1 s 響應，重量 0.9 kg
二、核心技術參數（M-336MX）
| 項目 | 參數 |
|---|---|
| 原理 | 晶體離子復合（晶振 + 離子） |
| 測量范圍 | 5×10?11 – 1×10?2 Pa（5×10?11 – 1×10?2 Torr） |
| 精度 | ±10 %（5×10?11 – 1×10?2 Pa） |
| 響應時間 | 0.1 s（晶振） / 1 s（離子） |
| 輸出信號 | 0-10 V + RS-485 + 4-20 mA（實時） |
| 真空接口 | NW16（可轉 NW25/NW40） |
| 接觸材料 | 316L + 藍寶石（晶振） |
| 溫度范圍 | -10 – 80 ℃（無凝露） |
| 電源 | DC 24 V 1 A（含 100-240 V 適配器） |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm，0.9 kg |
| 壽命 | 10 年（連續運行） |
三、功能亮點
- 5×10?11 Pa 超高真空：晶振 + 離子復合，10?11 Pa 級監測
- 0.1 s 高速響應：晶振 0.1 s，適合快速真空變化
- 0.9 kg 超輕：可直接貼腔體，不增加機械負載
- ±10 % 高精度：±10 %（5×10?11 – 1×10?2 Pa），工藝重復性高
- 0-10 V + RS-485：實時真空度，可接 PLC / DCS
- 10 年壽命：晶振 + 離子復合，10 年免維護
四、典型應用系統
半導體超高真空工藝┌─ 超高真空腔體 ─┐│ │真空← M-336MX ← 真空饋通 NW16│ │└─ PLC/DCS ──────┘- 真空度 5×10?11 Pa，0.1 s 響應，工藝實時監測
- RS-485 實時輸出，PLC 閉環控制
五、實測數據（半導體驗證）
- 真空腔：1×10?11 Pa，25 ℃
- M-336MX：
- 真空度 5×10?11 Pa（0.1 s）
- 精度 ±10 %（5×10?11 Pa）
- 壽命 10 年（連續運行）
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